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Typical Characteristics
IRF7805QPbF
Fig 1. Normalized On-Resistance vs. Temperature
Fig 2. Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
10
T J = 150 ° C
1
T J = 25 ° C
0.1
0.4
0.5
0.6
0.7
V GS = 0 V
0.8
0.9
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 3. Typical Rds(on) vs. Gate-to-Source Voltage
100
D = 0.50
Fig 4. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
10
0.20
0.10
0.05
0.02
P DM
1
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
t 1
t 2
Notes:
1. Duty factor D =
t 1 / t 2
0.1
0.001
0.01
0.1
1
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
10 100
1000
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
www.irf.com
Figure 5. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
3
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